抚顺s11变压器驱动器IGBT静态特性

抚顺s11变压器驱动器IGBT的静态特性包括伏安特性、转移特性和静态开关特性。伏安特性表示器件的端电压与电流的关系。N-抚顺s11变压器驱动器IGBT的伏安特性参见抚顺s11变压器驱动器IGBT的伏安特性与GTR基本相似，不同之处是，控制参数是门源电压VGS，而不是基极电流。伏安特性分饱和区、放大区和击穿区。输出电流由门源电压控制，门源电压VGS越大，输出电流ID越大。当抚顺s11变压器驱动器IGBT关断后，J2结阻断正向电压；反向阻断电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，正、反向阻断电压只能达到几十伏，因此限制了抚顺s11变压器驱动器IGBT在需要阻断反向电压场合的应用。

抚顺s11变压器驱动器IGBT的转移特性曲线,与功率MOSFET的转移特性相同。在大部分咯偶记电流范围内，ID与VGS呈线性关系；只有当门源电压接近开启电压VGS时才呈非线性关系，此时漏极电流已相当小。当门源电压VGS小于开启电压VGS时，抚顺s11变压器驱动器IGBT处于关断状态。加在门源间的最高电压由流过漏极的最大电流所限定。一般门源电压的最价值可去15V左右。当门源电压大于开启电压时，抚顺s11变压器驱动器IGBT即开通。抚顺s11变压器驱动器IGBT由PNP晶体管和MOSFET组成达林顿结构，其中PNP为主晶体管，MOSFET为驱动元件。电阻Rdr介于PNP晶体管基极和MOSFET漏极之间，它代表N-漂移区电阻，一般称为扩展电阻。与普http://lvliang.lxnmpt.com/通达林顿电路不同，流过等效电路中MOSFET的电流成为抚顺s11变压器驱动器IGBT总电流的主要部分。